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0,13-µm-Strukturen jetzt auf 300-mm-Wafern

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Intel hat erste Halbleiterprodukte mit 0,13-µm-Strukturbreite auf 300-mm-Wafern hergestellt. „Durch die Verkleinerung der Schaltkreisleitungen auf 0,13 µm und die Steigerung der Wafergröße auf 300 mm können wir die Produktionsmenge einer heutigen Standardfertigungsanlage vervierfachen“, erläuterte Tom Garrett, „300 mm Program-Manager“ bei Intel. Die neuen Wafer bieten im Vergleich zu den üblichen 200-mm-Wafern mehr als die doppelte Siliziumoberfläche. Dies ergibt rund 240% mehr nutzbare Oberfläche pro Wafer. Die größeren Wafer reduzieren die Fertigungskosten pro Chip und verringern die Materialreste sowie den Energie- und Wasserverbrauch bei der Produktion um ca. 40%. Die 0,13-µm-Prozesstechnologie ermöglicht extrem kleine Schaltkreise und damit Mikroprozessoren, die aus rund 100 Mio. Transistoren bestehen und mit Taktfrequenzen von mehreren Gigahertz betrieben werden können. Wegen Größe und Gewicht der Wafer werden erhöhte Anforderungen an die Transportsysteme in der Fertigung gestellt. So wurde beim Bau der „D1C Development Fab“ in Hillsboro/USA das – so Intel – weltweit erste Automatisierungssystem mit mehreren Ebenen zusammengeschalteter Transportbahnen rea-lisiert. Die weitere Entwicklung forciert Intel nun am gleichen Standort mit dem neuen Forschungslabor RP1.

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